將
美國(guó)AB模塊，可采用和測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶（MOSFET）的方法來(lái)測(cè)試該模塊。MOSFET的柵-陰間有一個(gè)結(jié)電容存在，故由此決定了高的輸入阻抗和電荷保持功能。對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)，存在一個(gè)G、E之間的結(jié)電容和C、E之間的結(jié)電容，利用其G、E之間的結(jié)電容的充電、電荷保持和放電特性，可以?xún)?yōu)檢測(cè)出美國(guó)AB模塊的好壞。
方法：將指針式萬(wàn)用表?yè)艿絉*10k檔，黑表筆接C，紅表筆接E，辭職所測(cè)量電阻值近乎無(wú)窮大；搭好表筆不懂，用手指將C與G碰一下再拿開(kāi)，指示由無(wú)窮大阻值降為200kΩ；過(guò)十幾二十秒之后，再測(cè)一下C、E之間的電阻（黑表筆接C，紅表筆接E），仍能維持200kΩ的電阻不變；搭好表筆不動(dòng)，用手指短接一下G、E，C、E之間的電阻又重新變味接近無(wú)窮大。
實(shí)際上美國(guó)AB模塊，用手指碰一下C、G，是經(jīng)人體電阻給柵，陰結(jié)電容充電，拿開(kāi)手指后，因此電容無(wú)放電回路，故電容上的電荷能保持一段時(shí)間。此電容上的充電電壓為正向激勵(lì)電壓，使IGBT出現(xiàn)微導(dǎo)通，G、E之間的電阻減小；次用手指短接G、E時(shí)，提供了電容的放電通路，隨著電荷的釋放，IGBT的激勵(lì)電壓小時(shí)，管子變?yōu)榻刂梗珻、E之間的電阻又趨于無(wú)窮大。
手指相當(dāng)于一只阻值為數(shù)kΩ的電阻，提供柵陰電容充、放電的通路；因IGBT的導(dǎo)通需要比較高的正向激勵(lì)電壓（10V以上），所以使用指針式萬(wàn)用表的R*10k檔（此檔位內(nèi)部電池供電為9V或12V），以滿足IGBT激勵(lì)電壓的幅度。指針式萬(wàn)用表的電阻檔，黑表筆接內(nèi)部電池的正，紅表筆接內(nèi)部電池的負(fù)，因而黑表筆為正，紅表筆為負(fù)。這種測(cè)量方法只能采用指針式萬(wàn)用表。
對(duì)于美國(guó)AB模塊觸發(fā)端子的測(cè)量，還可以配合電容表測(cè)其容量，以增加判斷的準(zhǔn)確度。往往功率容量大的模塊，兩端子間的電容值也稍大。
更新時(shí)間：2017-06-26 
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